产品介绍:
FT-300T 系列是我公司自主研发的原子层沉积（Atomic Layer Deposition）设备，反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 PECVD 平台上，充分实现 ALD 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路，OLED 及先进封装（TSV）领域。ALD 技术一次沉积一层原子层薄膜，并针对 14nm 以下 FEOL 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 SiOFT-300T 系列是我公司自主研发的原子层沉积（Atomic Layer Deposition）设备，反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 PECVD 平台上，充分实现 ALD 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路，OLED 及先进封装（TSV）领域。ALD 技术一次沉积一层原子层薄膜，并针对 14nm 以下 FEOL 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 SiO2，SiN，Al2O3 薄膜，陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。
产品特点：
- 优异的生产成本（CoO）及性能指标
- 可搭载1-3个PM
- 具有优异的均匀性和优异的保形性
- 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
- ALD薄膜在高宽比（20:1）情况下台阶覆盖率可达到95%
- 通过S2安全认证和F47标准检验
薄膜，陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。